SiC

Эти красивые изумрудно-зеленые кристаллы стоят на третьем месте по твердости после алмаза и карбида бора. Тем не менее современные технологии позволяют их обрабатывать: разрезать кристаллы на пластины нужного размера и полировать поверхность. Кристаллы карбида кремния выращивают методом Лели, при котором зародыши образуются случайно и растут сами по себе. Именно поэтому кристаллы получаются превосходного качества, но выглядят как ягоды на виноградной грозди. Вот почему они не могут достичь больших размеров — соседние выросты начинают срастаться и мешать друг другу. Обычный диаметр такого кристалла — около одного сантиметра. Поскольку у карбида кремния данного политипа (6Н) гексагональная кристаллическая решетка, то и кристаллы получаются соответствующим образом ограненными. А разные оттенки зеленого цвета определяются количеством примеси азота. SiC обладает выдающимися электрическими и механическими свойствами, в то же время его себестоимость относительно невелика, поскольку составляющие его кремний и углерод входят в число самых распространенных веществ на Земле (чего не скажешь о таких широкозонных полупроводниках, как GaN, GaP или ZnSe). Поэтому SiC оказался одним из первых претендентов для изготовления высокотемпературных и сверхмощных полупроводниковых приборов.

Кандидат физико-математических наук
И.Е. Титков